光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結構LEDp、n電極在LED的同一側，電流須橫向流過n-GaN層，導致電流擁擠，局部發熱量高，限制了驅動電流；其次，由于藍寶石襯底導熱性差，嚴重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因為散熱不好而導致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。10-200W集成光源LED集成光源和
COB光源有區別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功百率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的10-200W集成光源
LED照明，專業致力于展示照明應用，而展示照明應用對產品的顯指、照度、色溫、光效的要求極為苛刻。為此，2013年開始，首卓在LED軌道燈、斗膽燈等展示照明產品上，全部采用了
COB光源，以有效建立技術優勢，并降低配件成本，為用戶提供高性價比LED照明產品。。而
COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量度的
COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片。圖2：錯誤的溫度測量方式因此，為避免光對熱電偶的影響，建議使用紅外熱成像儀進行溫度測量，紅外熱成像儀除具有響應時間快、非接觸、無需斷電、快速掃描等優點，還可以實時顯示待測物體的溫度分布。紅外測溫原理是基于斯特藩—玻耳茲曼定理，可用以下公式表示。
10-200W集成光源4)在整體圍壩內填充熒光膠16，待熒光膠16自然平鋪后，將基板12放進離心設備中進行旋轉離心，使熒光膠16中的熒光粉沉淀到熒光膠16的下部Cob光源制作工藝COB板上芯片(ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導熱環氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環氧樹脂)覆蓋硅片安放點，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。。由于在步驟3)中設置了兩層圍壩，使得圍壩總體高度增加，避免了填充在圍壩內的熒光膠16在基板12進行離心時溢出的情況發生；
10-200W集成光源2、使用的支架不同LED集成光源使用的支架只有10W，100W，500W等幾種方方正正的支架，其材質以銅為主，且支架都帶有2個邊腳10-200W集成光源現在國產
cob光源在r9大于零，顯色指數大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進入到2014年以后，國產和進口cob技術差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國產cob整體光效將在現有基礎上提升10%左右，超過120lm/w，以更好地適應當前商照市場需求。。而
COB光源所使用的支架則有很多種尺寸，其形狀有方形，長方形，橢圓形等尺寸不一的幾十種支架，其材質以鋁為主，也有銅制和陶瓷制的支架，一般都不帶邊腳。
